光迅科技:全球布局高端光芯片研发,高速光模块突破可期

事件:公司11月30日发布公告,公司以6,000万元自有资金在武汉投资建设光谷信息光电子创新中心,并计划在未来一年内引入信息光电子产业领域内龙头企业、科研院所、大专院校及产业基金等合作方,共同参与创新中心建设。公司同日公告,拟对全资子公司Accelink USA Corporation(光迅美国有限公司)增资1,000万美元,在美国建设高端产品研发中心,提高公司在高端产品方面的市场竞争力。项目建设期为1.5年,项目研发成功技术量产后,预计能新增产品年销售收入超过7亿元。

评论:

1、全球布局高端光芯片,彰显整合产业链决心

此次公司在武汉设立光电子创新中心,并对美国子公司大幅增资建立海外研发中心,彰显公司布局高端光芯片研发,整合光电子产业链,打造国家级光电子制造创新中心的决心。武汉光电子创新中心将定位为信息光电子领域开放、多元的创新平台,未来一年内吸引业内龙头企业、科研院所陆续进入,公司将借助创新中心整合光电子产业链资源。美国研发中心将立足高端光芯片研发,吸引全球高端技术研发人员,补齐公司在核心高速率芯片上的短板。未来,公司将形成以本部武汉光谷为中心,美国研发中心、法国Almae、丹麦IPX为技术支撑的“三位一体”全球光电子产业战略布局,打造从技术、研发到制造、营销的全球“一体化”产业链,构建系统性核心竞争力。

2、高端光芯片持续突破,摆脱上游掣肘

公司现有产品结构中,10G及10G以上产品占比不足40%,25G/100G光模块收入仅数千万级别,市场上高端芯片供应短缺和自研能力不足是造成公司高速率产品出货较少的主因。光芯片随着速率的提高在光模块产品中的成本占比逐步提升,100G光模块中光芯片成本占比甚至超过70%。

我国光通信产业链上下游发展不均衡,下游通信设备厂商华为中兴等虽份额领先全球,但核心光芯片及模块严重受制于国外上游巨头,国内光电子产业亟待升级。公司通过内生和外延并举,法国Almae研发的10G EML芯片在年底将量产,明年年底25G光芯片也将有成品产出,届时公司将具备10G全系列产品和25G部分芯片自产能力,打通上游核心技术环节,提高光模块产品利润率水平和竞争力。公司目前已形成2.5G等中低端光模块为基础,10G产品为主力,25/100G产品为突破的产业格局。未来将通过加强自主芯片研发力度提高25G、100G产品占比。

3、充分受益光通信高景气,硅光打开未来想象空间

光纤入户速率的提高、数据中心建设、城域网建设、4.5G及5G的基站演进,将会带来光模块和高端光器件的需求增长,光通信行业高景气度将在未来几年得以持续。公司是国内光通信器件及模块的龙头企业,年产值国内排名第一,全球排名第五,且与第一阵营差距不断缩小。同时,在硅光领域,和邮科院成立国家重点实验室,在国内企业中实现先发布局,已在数通领域实现产品化。此外,公司不断扩展市场版图,持续推进在传感网、电网、量子通信和其他行业网市场布局;海外方面,公司在欧洲和亚太市场均取得重要突破。

4、看好其光通信上游产业链核心价值,维持“强烈推荐-A”评级

我们看好光迅在国内光通信产业链上游的产业地位,随着公司光芯片及器件模组的产品升级,将提升一体化盈利能力,增强公司在全球光器件和光模块的竞争力。我们预计公司2016年-2018年净利润分别为3.01亿元(+24%)、4.36亿元(+45%)和6.10亿元(+40%),对应EPS分别为1.43元、2.08元和2.91元,维持“强烈推荐-A”评级,产业升级带来的中高端光模块/器件的产品进口替代逻辑清晰,中长期仍然看好。

风险提示:芯片研发不及预期导致高端光模块市场进展缓慢、硅光产业加速且公司跟进不达预期、产品结构优化不及预期导致毛利率压力。